| 型号： | NTMSD3P303R2G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| NTMSD3P303R2G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | FETKY™ |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 750pF @ 24V |
| 功率 - 最大 | 730mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NTMSD3P303R2GOS |